RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
40
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2674
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link