RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3768
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link