RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
96
Wokół strony 75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
4.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
96
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
4.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1062
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link