RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
65
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1921
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link