RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link