RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2851
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link