RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3246
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link