RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3294
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link