RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3258
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link