RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3153
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link