RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3324
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link