RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2939
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link