RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2497
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link