RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2290
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link