RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2552
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link