RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2816
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link