RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2738
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link