RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2682
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link