RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3222
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Mushkin 992031 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link