RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3300
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link