RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3496
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link