RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link