RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3691
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link