RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3614
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link