RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link