RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4142
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link