RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3956
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link