RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3519
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link