RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link