RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link