RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link