RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link