RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
71
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1484
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link