RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2494
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link