RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2915
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link