RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3575
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link