RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3458
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link