RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KC5N22-MIE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
51
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2805
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KC5N22-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link