RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3156
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link