RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 8 13 18 23 29 34 35 36 37 38
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2996
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link