RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3008
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link