RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3637
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link