RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3105
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link