RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2013
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link