RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3322
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link