RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2589
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link