RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
51
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2570
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link