RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link