RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
42
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link