RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2488
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link