RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2868
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link